IPD40DP06NMATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPD40DP06NMATMA1 |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.94 |
10+ | $0.831 |
100+ | $0.6373 |
500+ | $0.5038 |
1000+ | $0.403 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 166µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO252-3-313 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.3A, 10V |
Verlustleistung (max) | 19W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 260 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V |
Typ FET | P-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 4.3A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPD40DP06 |
MOSFET N-CH 60V 27A TO252-3
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
INFINEON TO-252
MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
TRENCH >=100V PG-TO252-3
INFINEON TO-252
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
MOSFET P-CH 60V TO252-3
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPD40DP06NMATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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